超低功耗亚阈值CMOS电压基准设计

• 作者: 姜梅 杨智 黎永泉
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 亚阈值 CMOS电压基准 超低功耗 高电源抑制比
• 年，卷（期）: 2015,（23）
• 所属期刊栏目: 【第五届(北京)大学生集成电路设计大赛专栏】
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 字数: 1464字
• 语种: 中文

摘要

文章提出了一种采用标准CMOS工艺，基于不同阈值器件的阈值差原理实现的超低功耗电压基准电路。电路实现了213mV的低基准电压输出，在原有亚阈值电路研究的基础上，添加超低功耗运放电路，降低了输出电压的线性调整率。电路中所有器件都工作在亚阈区，实现了超低功耗，在0.8V工作电压温度190℃时的功耗仅为80nW。在20至190℃范围内，平均温度系数约为16.5ppm/℃，在0.8到4V工作电压范围内，线性调整率为0.044%/V。电源抑制比为73dB@100Hz，核心电路版图面积约为0.0144mm2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜梅	深圳大学信息工程学院	2	111	1.0	2.0
2	黎永泉	深圳大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0
3	杨智	深圳大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0