锗硅缓冲双轴应变硅材料ε-Si/Ge0.3Si0.7/GexSi1-x/C-Si内部残余应力的显微拉曼实验分析

• 作者: 仇巍 程翠丽 赵煜乘 雷振坤 马路路
• 来源期刊: 实验力学
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变硅 半导体多层异质结构 横截面样品 显微拉曼光谱 残余应力
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 306-314
• 分类号: O348.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.7520/1001-4888-15-114

摘要

应变硅技术是一种被称为延续摩尔定律的技术,是集成微电子技术的热点之一.本文以锗硅缓冲双轴应变硅材料(ε-Si/Ge0.3Si0.7/GexSi1-x/C-Si)为研究对象,采用显微拉曼光谱技术,开展了该多层半导体异质结构内部残余应力的实验力学分析.这是面向多层结构残余应力与表/界面力学行为的多尺度实验力学分析,本文首先简述了该应变硅的制造工艺和超低粗糙度横截面样品的加工方法,并推导了针对锗硅合金拉曼-力学测量修正关系,进而对应变硅样品的表面和横截面进行了显微拉曼力学测量实验,给出了多层异质结构内部的残余应力分布,并以此为基础讨论了多层界面的力学行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	仇巍	天津大学机械工程学院力学系现代工程力学天津市重点实验室	17	66	5.0	7.0
2	雷振坤	大连理工大学工程力学系工业装备结构分析国家重点实验室	34	188	6.0	13.0
3	马路路	天津大学机械工程学院力学系现代工程力学天津市重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	程翠丽	天津大学机械工程学院力学系现代工程力学天津市重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	赵煜乘	天津大学机械工程学院力学系现代工程力学天津市重点实验室	2	2	1.0	1.0