SiC/SiO2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响

• 作者: 刘莉 杨银堂
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiC/SiO2界面粗糙度 界面态密度 场效应迁移率
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 电信技术
• 页码范围: 392-396
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 2782字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2016.02.027

摘要

为了研究SiC/SiO2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30 min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量级的横向表面粗糙度(峰对峰,谷对谷)不会影响电子平均自由程为纳米数量级的沟道电子在SiC MOS器件沟道中的迁移运动,在高温退火过程中,碳膜的是否存在对表面粗糙度和NMOS电容SiC/SiO2界面态密度没有影响,而且NMOSFET器件的场效应迁移率没有发生太大的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	刘莉	西安电子科技大学微电子学院	14	69	4.0	7.0