磨削速度和压力对单晶硅去除特性的影响

• 作者: 于月滨 周平 王紫光 郭东明 高尚
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 磨削速度 法向压力 粗糙度 去除率 亚表面损伤
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 1-5,10
• 分类号: TG74|TQ164
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2016.3.0001

摘要

为研究单晶硅磨削损伤,使用金刚石磨块在不同磨削速度和压力下对单晶硅表面进行高速划擦试验,金刚石的粒度尺寸为38～45 μm.通过测量硅片表面粗糙度、亚表面损伤深度和材料去除率,研究磨块的磨削速度和压力对材料去除特性的影响规律.结果表明:相同压力时,材料去除率随磨削速度增加呈先增大后减小的趋势,亚表面损伤深度逐渐变小;随法向压力增大,亚表面损伤深度变化不明显;在5N压力下,表面粗糙度值Ra变化明显,由6.4 μm减小到3.2μm;而10 N压力下,Ra无明显变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
2	周平	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	38	260	9.0	15.0
3	高尚	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	12	94	6.0	9.0
4	王紫光	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	9	59	6.0	7.0
5	于月滨	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	1	6	1.0	1.0