不同CO2流量对CVD金刚石膜生长的影响研究

• 作者: 刘繁 刘辉 吴骁 孙祁 汪建华 翁俊 陈义
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 物理学
• 关键词: CO2 MPCVD CVD金刚石膜
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 研 究 报 告
• 页码范围: 340-343,364
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2016.06.006

摘要

采用微波等离子体化学气相沉积法，以CH4-CO2为气源，通过改变CO2的流量，探讨了此气源下金刚石膜的生长情况。利用扫描电子显微镜对制备的金刚石膜表面形貌和断面进行了表征，采用Raman和X射线衍射仪对金刚石膜的质量和晶体结构进行分析。结果表明，CH4流量为50 mL/min时，CO2流量在20～40 mL/min范围内可以沉积出完整的金刚石膜，CO2的流量对金刚石膜的表面形貌影响较大，在CO2/CH4=30∶50条件下，沉积速率可达到3.4μm/h，同时可以制备出高质量的金刚石膜。