基于硅基薄膜集成无源器件工艺的双频器设计

• 作者: 吴振川 隆万洪
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 双频器 集成无源器件 静电防护 小型化 集成化
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 研究简报 -- 电子技术、通信技术
• 页码范围: 199-204
• 页数: 6页
• 分类号: TN451
• 字数: 2548字
• 语种: 中文

摘要

消费类电子市场对产品的便携性要求愈益强烈。薄膜集成无源器件工艺由于集成度更高、成本低且性能较好而被提了出来。本文基于硅（ Si）基薄膜无源器件工艺设计了一个集成静电防护（ electro－static discharge， ESD）功能的双频器（ di－plexer），利用电磁仿真（EM）来优化双频器的性能。双频器在GPS频段的插入损耗小于1．1dB，回波损耗平均为10 dB，隔离度大于22 dB；在2．4 GHz WIFI频段的插入损耗小于1．2 dB，回波损耗为11 dB，隔离度大于30 dB；双频器的面积是1100×950μm。经测试，在HBM模式下，可以经受2 kV的电压的冲击。对比低温共烧陶瓷和PCB工艺制作的双频器，这个双频器在保证性能的同时，具有体积小，价格低的优点。这样的diplexer可以用在很多手持设备和便携设备上面。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	隆万洪		2	1	1.0	1.0
2	吴振川	中国科学院上海高等研究院	1	0	0.0	0.0