锑化物磁性半导体体材料研究

• 作者: 吴金良 尹志岗 张兴旺
• 来源期刊: 空间科学学报
• 学科: 航空航天
• 关键词: 磁性半导体 锑化物半导体 布里奇曼法 Mn掺杂
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 空间材料科学
• 页码范围: 424-427
• 页数: 4页
• 分类号: V524
• 字数: 2072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11728/cjss2016.04.424

摘要

利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测到抗磁信号.电学测量表明,两个区域的空穴浓度基本相当,说明观察到的磁学性能差异与载流子浓度无关.X射线能谱测试显示,高Mn区域的Mn组分分布不均匀,低Mn区域的Mn组分分布则相对更为均匀.此外,高Mn区域的饱和磁化强度仅为每Mn原子0.013 μB,与理论值相差约两个数量级.X射线衍射谱的结果说明,高Mn区域有出现MnSb第二相的迹象.以上结果证实所观察到的室温铁磁性并不是GaMnSb的内禀特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴旺	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	30	153	8.0	10.0
2	吴金良	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	8	14	2.0	3.0
3	尹志岗	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	9	5	1.0	1.0