GaSb晶片表面残留杂质分析

• 作者: 刘京明 刘彤 杨凤云 程雨 苏杰 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化镓 TOF-SIMS 表面氧化 钝化
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 55-58
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较.结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100) GaSb晶片表面,可以有效地去除金属离子、含S离子和大部分有机物,而使用(NH4)2S/(NH4)2SO4混合溶液方法钝化表面,可以使表面大部分Ga和Sb元素硫化,降低了表面态密度.分析比较了清洗和钝化工艺对晶片表面化学成分的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彤	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	51	800	14.0	27.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	42	217	7.0	11.0
3	董志远	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	25	154	7.0	11.0
4	程雨	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	2	6	2.0	2.0
5	刘京明	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	2	6	2.0	2.0
6	苏杰	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	5	55	3.0	5.0
7	杨凤云	中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室	2	6	2.0	2.0