几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状

• 作者: 杨洪星 杨静
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 氮化镓 宽禁带半导体 器件
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 材料制造工艺与设备
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2253字
• 语种: 中文

摘要

阐述了SiC、G aN、A lN等几种宽禁带半导体材料的特性、突出优势及其重要应用;并对比分析了目前制备这些半导体材料的主流方法及其各自存在的利与弊;最后讨论了宽禁带半导体材料的发展现状及其存在的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨静	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	39	4.0	5.0
2	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0