Flash存储器并行耐久测试方法

• 作者: 吕宏峰 孙宇 王小强 罗军 蔡志刚
• 来源期刊: 中国测试
• 关键词: 闪存 存储寿命 耐久测试 扇区等效性 并行测试
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 物理测试
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 字数: 2795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11857/j.issn.1674-5124.2016.05.005

摘要

传统闪存(Flash)芯片耐久测试需要对整块芯片按扇区串行进行擦写测试,测试时间长、效率低、成本高,不利于其批量耐久测试和产业化发展.该文基于“资源换速度”的思想提出一种高效的Flash存储器并行耐久测试方法,通过对多片Flash芯片并行进行擦写测试,对不同芯片擦写不同扇区来提升其耐久测试效率,并进一步对耐久测试Flash芯片的不同扇区等效性进行分析,对等效性需要满足的条件和要求进行探讨.实验结果表明:并行耐久测试能有效缩短测试时间,其效率提升程度与并行测试的芯片数量成正比,加速测试结果与理论曲线符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小强		35	41	3.0	4.0
2	孙宇		16	16	2.0	3.0
3	吕宏峰		7	17	3.0	3.0
4	蔡志刚		6	11	2.0	3.0
5	罗军		15	19	3.0	3.0