射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响

• 作者: 丁德松 乌仁图雅 周炳卿 部芯芯 高爱明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 富硅-氮化硅薄膜 等离子增强化学气相沉积 射频功率 沉积速率
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 页码范围: 2322-2325
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2230字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH4、NH3和N2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料.利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征.实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多.分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乌仁图雅	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	18	56	4.0	7.0
2	周炳卿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	45	134	6.0	8.0
3	高爱明	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	5	10	2.0	3.0
4	部芯芯	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	5	5	1.0	1.0