纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型

• 作者: 王丹丹 王军 王林
• 来源期刊: 电子技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米级金属氧化物场效应晶体管 亚阈值区 漏极电流 栅极电流 频率依赖性
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 19-22,26
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2772字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.2016.12.004

摘要

基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型.其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中.通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性,栅极电流具有跟随性和频率依赖性.同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	西南科技大学信息工程学院	47	152	6.0	9.0
2	王林	西南科技大学信息工程学院	23	102	6.0	9.0
3	王丹丹	西南科技大学信息工程学院	9	20	3.0	4.0