加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响

• 作者: 景华玉 朱博 李海波 李进 梁森 董法运 高忙忙
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 温度梯度 固液界面 氧含量
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 3607-3612
• 页数: 6页
• 分类号: TQ127
• 字数: 4686字
• 语种: 中文

摘要

采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响.结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效地抑制缺陷的形成.另外,晶体中的氧含量也有一定程度的下降.可以得出,在晶体等径生长初期,提高加热器的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李进	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	40	206	7.0	13.0
2	高忙忙	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	21	37	4.0	4.0
3	梁森	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	17	35	4.0	5.0
4	李海波	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	8	12	2.0	3.0
5	朱博	广西大学电气工程学院	2	5	2.0	2.0
6	景华玉	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	2	3	1.0	1.0
7	董法运	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	3	9	2.0	3.0