高增益宽频带GaN功率放大器设计

• 作者: 张佳浩
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 氮化镓 功率放大器 效率 电抗匹配
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 设计与研发
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 字数: 1314字
• 语种: 中文

摘要

针对新一代半导体材料氮化镓（Gallium Nitride，GaN）带宽大、效率高的优点，利用ADS谐波平衡仿真软件，设计了一个1.5~2.5GHz宽带高效的功率放大器。设计采用Cree公司的GaN 高电子迁移率晶体管CGH40010F，利用晶体管的大信号模型进行电路仿真，结果显示，功放在1.5~2.5GHz频带内，饱和输出功率大于41.7dBm，小信号增益大于18dB，功率附加效率大于70%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张佳浩	山东科技大学电子通信与物理学院	1	2	1.0	1.0