集成电路总剂量加固技术的研究进展

• 作者: 刘士全 印琴 徐睿 蔡洁明
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐射加固 总剂量 研究进展
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 148-152
• 页数: 5页
• 分类号: TN401
• 字数: 4249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201701.0148

摘要

对集成电路总剂量加固技术的研究进展进行了分析.集成电路技术在材料、器件结构、版图设计及系统结构方面的革新,促进了总剂量加固技术的发展.新的总剂量加固技术提高了集成电路的抗总剂量能力,延长了电子系统在辐射环境下的使用寿命.文中总结了近年来提出的新型的总剂量抗辐射加固技术,如采用Ag-Ge-S、单壁碳纳米管材料(SWCNT)、绝缘体上漏/源(DSOI)器件结构、八边形的门(OCTO)版图、备用偏置三模块冗余(ABTMR)系统等加固方法,显著提高了器件或电子系统的总剂量抗辐射能力.研究结果有助于建立完整的总剂量加固体系,提升抗辐射指标,对促进总剂量加固技术的快速发展具有一定的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐睿		18	61	5.0	7.0
2	刘士全		10	27	3.0	4.0
3	蔡洁明		8	15	3.0	3.0
4	印琴		4	11	2.0	3.0