薄硅膜金属－绝缘层－半导体结构的电容－电压特性

• 作者: 张珺 李曼 杨可萌 蒋永吉 郭宇锋 高梓喻
• 来源期刊: 应用科技
• 学科: 工学
• 关键词: 硅膜厚度 MIS结构 电容-电压特性 绝缘层固定电荷
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11991/yykj.201609004

摘要

随着各种新纳米CMOS器件技术的出现，在等比例缩小原则的限制下，硅膜厚度逐渐减薄，这对通过电容－电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件———MEDICI，研究了不同硅膜厚度下金属－绝缘层－半导体结构的低频和高频电容－电压特性，通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理，并分析了考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容－电压特性，为通过电容－电压特性法对薄硅膜MIS结构进行参数提取与表征进行了有益探索。