基于再生长欧姆接触工艺的220GHz InAlN/GaN场效应晶体管

• 作者: 冯志红 吕元杰 宋旭波 尹甲运 张志荣 房玉龙 蔡树军 谭鑫
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAlN/GaN HFET fT 再生长n+-GaN欧姆接触
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 6-9,34
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.002

摘要

在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小,Ks=1V下器件最大饱和电流(Ids)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知,该fT值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果.