锗单晶片边缘损伤影响因素分析

• 作者: 何远东 杨洪星 王雄龙
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 锗 边缘损伤 圆度 晶向偏离度
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TN948.43
• 字数: 2445字
• 语种: 中文

摘要

新一代太阳电池所需的锗片厚度仅为140μm,在加工过程中更容易出现边缘破损,因此,锗片的边缘质量控制更为迫切.从单晶质量控制、滚圆及参考面制作出发,对锗片边缘质量的影响因素进行了分析,并提出相应的解决措施,提升了超薄锗片的边缘完整性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
2	何远东	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	7	1.0	2.0
3	王雄龙	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	3	1.0	1.0