增强型GaN MOSFET与Si MOSFET在单相全桥逆变器中的性能比较

• 作者: 戴超凡 李鹏 杨荣浩 邓孝祥
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单相全桥逆变器 宽禁带 增强型GaN MOSFET 开关损耗 栅极驱动损耗
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2017.06.010

摘要

为分析宽禁带半导体器件GaN MOSFET与Si MOSFET栅极驱动损耗、开关损耗的成因及关联参数,利用单相全桥逆变拓扑结构搭建功率开关器件应用测试平台,对GaN MOSFET和Si MOSFET在不同开关频率及器件工作温度下的效率进行测试比较.实验结果显示,开关频率为50 kHz和120 kHz时,基于增强型GaN MOSFET的逆变器比基于Si MOSFET的效率分别高1.47％和1.6％;40℃,50℃,60 ℃,70℃温度对比实验时,基于增强型GaN MOSFET的逆变器效率比基于Si MOSFET的分别高1.8％,1.9％,2.0％和2.1％,表明开关频率递增或工作温度越高的工况下,增强型GaN MOSFET高效性能越明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓孝祥		36	65	4.0	6.0
2	李鹏		5	6	2.0	2.0
3	杨荣浩		2	0	0.0	0.0
4	戴超凡		4	3	1.0	1.0