高功率MPCVD中氧气对金刚石膜生长的影响研究

• 作者: 刘繁 周程 孙祁 梁天 汪建华 熊刚 白傲 翁俊
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率MPCVD O2 金刚石薄膜
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 336-340
• 页数: 5页
• 分类号: O484|TQ164
• 字数: 3420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2017.06.005

摘要

采用自制10 kW微波等离子体装置,在CH4/H2气源中添加不同浓度O2,探讨了O2对金刚石薄膜生长的影响.利用扫描电子显微镜、激光拉曼光谱仪以及X射线衍射仪对金刚石薄膜的表面形貌、结晶质量以及晶粒取向进行了表征.结果表明,O2浓度在0~0.9%范围内,所制备的金刚石薄膜品质随着O2浓度的提升逐渐升高,当O2浓度达到0.9%时,所制备的金刚石薄膜品质最好,其杂质含量低,金刚石半高宽值达到6.2 cm-1,且金刚石晶粒基本表现为(111)面生长,具有较高晶面取向.但当O2浓度超过到1.0%后,金刚石的生长会遭到破坏.