宽输入范围低线性调整率带隙基准的设计

• 作者: 吴勃庆 康瑞 邓超 陈锡明
• 来源期刊: 通信电源技术
• 关键词: 带隙基准 低线性调整率 宽电源电压范围
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 设计应用
• 页码范围: 87-89,92
• 页数: 4页
• 字数: 2166字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19399/j.cnki.tpt.2017.04.037

摘要

文中提出了一款基于0.35 μm BCD工艺的宽输入范围带隙基准.与传统带隙基准不同,所提出的带隙基准使用基准输出为运算放大器提供偏置,采用耐高压的LDMOS器件,设计实现了一款宽输入范围低线性调整率的带隙基准.利用Spectre对该电路进行了仿真验证.仿真结果表明:在4～35 V输入范围内,该基准的线性调整率仅为0.74μV/V,电源电压抑制比为-110 dB,温度系数为22.3 μV/℃,静态电流为10.15 μA.