硅材料杂质元素检测技术比较

• 作者: 安晓君
• 来源期刊: 中国资源综合利用
• 学科: 工学
• 关键词: 硅材料 检测 杂质元素
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 工作研究
• 页码范围: 120-122
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 2033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-9500.2017.09.044

摘要

硅材料中杂质直接影响太阳能组件的光电转换效率和寿命,随着光伏产业的快速发展,人们越来越需要一种检测限低、能快速检测多种元素的分析方法.本文比较分析了常见硅材料杂质元素检测技术的测试原理和优缺点,如电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、辉光放电质谱(GDMS)、二次离子质谱(SIMS)、傅立叶红外光谱仪(FTIR)和低温傅立叶红外光谱(LT-FTIR)等,寻求适合太阳能级硅材料的快捷而准确的检测设备和方法.