铜辅助化学腐蚀条件对多孔硅的影响

• 作者: 陈松岩 韩响 黄燕华
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 化学
• 关键词: 金属辅助化学腐蚀(MACE) 铜(Cu)催化 多孔硅(PS) 纳米结构 表面减反
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 1101-1107
• 页数: 7页
• 分类号: O649
• 语种: 中文
• DOI: 10.16136/j.joel.2017.10.0082

摘要

以铜(Cu)作为催化剂,采用两步化学腐蚀法成功制备了微纳米多孔硅(PS).本文方法成本低廉、操作简易.系统研究了腐蚀液中H2 O2浓度、Si衬底掺杂浓度、腐蚀液温度和腐蚀时间对PS表面形貌和腐蚀深度的影响,并得到最佳制备参数.高、低掺Si衬底所采用的最佳配比腐蚀液中的H2O2浓度分别达到0.70 mol/L和0.24 mol/L.在25℃腐蚀液中,腐蚀2h得到约200 nm深的纳米级孔洞,其表面反射率在宽波段内降低到5％以下;而在50℃腐蚀液中,经过2～4 h的腐蚀,可得到14～41 μm深的结构稳定的微纳米级孔洞.文中还对Cu辅助腐蚀与其他金属辅助腐蚀(MACE)作了对比,分析了Cu辅助腐蚀获得锥状孔洞的原因和机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄燕华		8	28	2.0	5.0
2	韩响		1	0	0.0	0.0
3	陈松岩		1	0	0.0	0.0