成型压力对CuFeO2陶瓷材料结构和介电性能的影响

• 作者: 代海洋 刘树人 叶凤娇 谢新宇 谷留停 陈镇平
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: CuFeO2陶瓷 成型压力 晶体结构 微观形貌 介电常数 介电损耗
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TM271
• 字数: 4074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.12.004

摘要

采用传统固相反应法在不同成型压力下(10~800 MPa)制备系列CuFeO2陶瓷样品,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪等技术手段对陶瓷样品的晶体结构、微观形貌和介电性能进行测试和表征.实验结果表明,实验成型压力范围内体系未发生结构相变,但成型压力对其微观形貌有较明显的影响.成型压力为100 MPa时,样品的晶粒得到充分生长,晶粒尺寸最大,且晶界清晰.电性能测试结果表明,适当的增加成型压力可提高体系的介频稳定性;成型压力为100 MPa时,样品具有较高的介电常数和较低的介电损耗,显示出良好的介电性能.对CuFeO2陶瓷样品的微观结构与介电性能的关联规律进行了初步解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈镇平	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	55	139	6.0	8.0
2	代海洋	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	18	36	4.0	4.0
3	谷留停	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	3	4	1.0	2.0
4	叶凤娇	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0
5	谢新宇	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	2	6	2.0	2.0
6	刘树人	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	1	4	1.0	1.0