单晶硅成型加工刀具损耗建模分析与实验研究

• 作者: 李淑娟 辛彬
• 来源期刊: 机械科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 成型加工 半导体 刀具损耗 响应曲面法
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 精密制造与加工
• 页码范围: 567-573
• 页数: 7页
• 分类号: TG661
• 字数: 5215字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13433/j.cnki.1003-8728.2017.0412

摘要

放电成型加工中的刀具损耗直接影响着加工精度,在单晶Si放电加工可行性的基础上,分析了峰值电流、脉冲宽度以及脉冲间隔对刀具损耗的影响.采用RSM中的中心组合设计实验,建立了与峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔等工艺参数相关的刀具损耗预测模型,用Design-Expert 8.0对刀具损耗与工艺参数的2阶响应曲面进行了分析.方差分析结果表明,预测模型具有较好的拟合程度和适应性.采用满意度函数(DFA)获得了单晶Si放电加工刀具损耗的最佳工艺参数组合,最佳工艺参数下的实验结果与模型预测结果平均相对误差为5.1％.验证实验表明,该模型对刀具损耗的预测是准确的,并且能实现相应的半导体材料的放电成型加工过程中的刀具损耗预测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李淑娟	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	137	1091	18.0	27.0
2	辛彬	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	7	3	1.0	1.0