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摘要:
借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节.文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法.针对一种CMOS电压反馈型运算放大器,建立了器件和整体电路的瞬时电离辐射效应SPICE模型,采用MATLAB和HSPICE相结合的方法计算了电路在多种约束条件下(电路设计参数、辐射条件等)的瞬时电离辐射响应(瞬态峰值电平和恢复时间).本研究为其他类型CMOS集成电路在较宽剂量率范围下的瞬时电离辐射效应建模和仿真提供了参考.
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内容分析
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文献信息
篇名 宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法研究
来源期刊 核电子学与探测技术 学科 工学
关键词 剂量率 瞬时电离辐射 运算放大器 电路仿真 器件模型 瞬态光电流
年,卷(期) 2017,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 726-733
页数 8页 分类号 TN386.1
字数 3655字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-0934.2017.07.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜川华 中国工程物理研究院电子工程研究所 13 45 4.0 6.0
2 周开明 中国工程物理研究院电子工程研究所 12 54 4.0 7.0
3 熊涔 中国工程物理研究院电子工程研究所 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
剂量率
瞬时电离辐射
运算放大器
电路仿真
器件模型
瞬态光电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
核电子学与探测技术
双月刊
0258-0934
11-2016/TL
大16开
北京市经济技术开发区宏达南路3号
1981
chi
出版文献量(篇)
5579
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总被引数(次)
21728
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