NiO/g-C3N4修饰电极的制备及电催化检测抗坏血酸

• 作者: 刘素芹 朱南南 李成 王星 谢静文
• 来源期刊: 食品科学
• 学科: 化学
• 关键词: 氧化镍 g-C3N4 电沉积 抗坏血酸 修饰电极
• 年，卷（期）: 2017,（16）
• 所属期刊栏目: 成分分析
• 页码范围: 122-126
• 页数: 5页
• 分类号: O657.1
• 字数: 3129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7506/spkx1002-6630-201716019

摘要

利用三聚氰胺制备石墨相的氮化碳,即g-C3N4,以氯化镍和g-C3N4为基础物质采用电沉积方法制备复合化学修饰电极.通过对裸电极、NiO/GCE、g-C3N4/GCE和NiO/g-C3N4/GCE对抗坏血酸的催化效果的比较,发现NiO和g-C3N4的复合修饰电极对抗坏血酸具有良好的电催化氧化作用.扫描速率在70～200mV/s范围内,峰电流与扫描速率呈良好的线性关系:Ia=-34.14-1.167v,R=0.998;Ic=53.42+0.357 8v,R=0.982.峰电位随扫描速率增大有一定的偏移,说明该修饰电极的氧化还原过程受表面控制.当抗坏血酸的质量浓度介于0.017 6～22.88μg/mL时,其氧化峰电流与质量浓度具有良好的线性关系,方程为:Ipa=-1.435+ 2.900C,R=0.998,检出限为0.008 8μg/mL.该传感器的选择性、重复性和稳定性良好,可用于果汁中抗坏血酸的检测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李成	湖北文理学院化学工程与食品科学学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室	1	2	1.0	1.0
2	朱南南	湖北文理学院化学工程与食品科学学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室	2	2	1.0	1.0
3	王星	湖北文理学院化学工程与食品科学学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	谢静文	湖北文理学院化学工程与食品科学学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室	1	2	1.0	1.0