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摘要:
本文提出了一种新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的小信号等效电路结构,并提取了等效电路结构的元件参数值.首先,利用器件建模软件IC-CAP2008,编译电路模型和提取器件参数,生成可应用于射频微波领域的场效应晶体管的高频小信号器件模型;其次,将转化成的器件模型编译成为高频仿真软件ADS的模型,并进行模块的S参数仿真;最后,将模拟结果与测试数据的差异进行比较,分析了所产生的器件模型的误差,论证内置小信号模型的良好性能.
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文献信息
篇名 射频场效应晶体管交流小信号建模技术的研究
来源期刊 数码世界 学科
关键词 交流小信号模型 建模 S参数仿真
年,卷(期) 2017,(12) 所属期刊栏目 计算机技术
研究方向 页码范围 104-105
页数 2页 分类号
字数 1353字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-8313.2017.12.073
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作者信息
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研究主题发展历程
节点文献
交流小信号模型
建模
S参数仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
数码世界
月刊
1671-8313
12-1344/TP
大16开
北京市海淀区永定路4号A院3号楼506室
6-167
2002
chi
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