电感耦合等离子体刻蚀反应烧结碳化硅工艺研究

• 作者: 刘卫国 惠迎雪 赵杨勇
• 来源期刊: 西安工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应烧结碳化硅 电感耦合等离子体 刻蚀速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 154-160
• 页数: 7页
• 分类号: TN405
• 字数: 3773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16185/j.jxatu.edu.cn.2018.02.010

摘要

为获得超光滑的反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对RB-SiC进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体(CF4/O2)流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度.分析了偏压功率这一单因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响规律.结果表明:偏压功率对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度最大,其次为射频功率,刻蚀气体(CF4/o2)流量比对刻蚀速率和表面粗糙度的影响最小;刻蚀最优射频功率为150 W,最优偏压功率为50W,最优CF4/O2流量比为25∶5,最优工作压强为1 Pa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫国	西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室	112	575	12.0	17.0
2	惠迎雪	西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室	38	186	6.0	12.0
3	赵杨勇	西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室	2	4	1.0	2.0