基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
逻辑电路中NMOS管或者PMOS管受到高能粒子撞击,会产生单粒子瞬态脉冲错误.针对这种现象,提出一种识别和选择电路中敏感结点的新方法,并与门的逻辑掩蔽效应加权综合考虑,对所选择的结点通过增大恢复管的尺寸来加固,以减小单粒子效应导致的软错误率.
推荐文章
一种模拟单粒子瞬态产生和测量方法
单粒子瞬态效应
IDELAY2延迟元件
SRAM型FPGA
传播特性
单粒子多瞬态诱导的组合电路软错误敏感性评估
FPGA
组合电路
单粒子多瞬态
软错误
光电耦合器的单粒子瞬态脉冲效应研究
脉冲激光
单粒子瞬态脉冲
光电耦合器
等效LET
一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型
单粒子效应
抗辐射加固
Weibull函数
注入脉冲模型
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 一种选择单粒子瞬态脉冲敏感结点的方法
来源期刊 常州工学院学报 学科 工学
关键词 单粒子瞬态脉冲 逻辑掩蔽 软错误率 单粒子加固
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 37-41
页数 5页 分类号 TN44
字数 3154字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-0436.2018.02.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宋依青 常州工学院计算机信息工程学院 27 99 6.0 8.0
2 严佳倩 常州工学院计算机信息工程学院 1 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (15)
共引文献  (4)
参考文献  (8)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1977(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1999(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2005(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2007(4)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(4)
2008(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2010(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2011(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2012(4)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(4)
2013(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2014(4)
  • 参考文献(4)
  • 二级参考文献(0)
2018(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
单粒子瞬态脉冲
逻辑掩蔽
软错误率
单粒子加固
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
常州工学院学报
双月刊
1671-0436
32-1598/T
大16开
江苏常州市通江南路299号
1986
chi
出版文献量(篇)
2745
总下载数(次)
11
总被引数(次)
8233
论文1v1指导