高性能非平面沟道场效应晶体管

• 作者: 张茂林 李曼 田涛 童祎 郭宇锋 陈静
• 来源期刊: 应用科技
• 学科: 工学
• 关键词: 短沟道效应 场效应晶体管 非平面沟道 阈值电压 亚阈值特性
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 现代电子技术
• 页码范围: 51-55,60
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11991/yykj.201706022

摘要

半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小,不可避免地导致短沟道效应,从而使得器件性能退化.提出了一种非平面沟道晶体管,利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究,并通过能带图、电势分布图和电场分布图探讨了其物理机理.研究表明非平面沟道晶体管可以很好地抑制阈值电压退化,改善器件的亚阈值特性,降低漏电流和衬底电流,提高击穿电压,从而抑制短沟道效应,提高器件的可靠性.