隧穿场效应晶体管的研究进展

• 作者: 徐秋霞 殷华湘 许高博 陶桂龙
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低功耗器件 隧穿场效应晶体管(TFET) 开态电流 开关电流比 亚阈值摆幅
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 707-718
• 页数: 12页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.10.002

摘要

隧穿场效应晶体管(TFET)已成为低压低功耗半导体器件的一个重要发展方向,但是自身存在的问题使其目前难以在实际电路设计中得到大量应用,主要原因之一是其开态电流过小.对隧穿场效应晶体管进行了简要介绍,从其隧穿几率等方面对器件的优化进行了分析.并综述了隧穿场效应晶体管的研究进展,包括基于传统Ⅳ族材料、Ⅲ-V族材料以及GeSn材料等的隧穿场效应晶体管,并对基于负电容效应的铁电隧穿场效应晶体管进行了简要分析与介绍.然后,对隧穿场效应晶体管的改良与优化方向进行了简单总结,研究表明采用新材料或新结构的器件可极大地改善隧穿场效应晶体管的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	37	108	6.0	8.0
5	许高博	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	8	21	3.0	4.0
9	殷华湘	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	11	23	3.0	4.0
13	陶桂龙	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	2	1.0	1.0