高性能折叠I型栅无结场效应晶体管

• 作者: 靳晓诗 高云翔
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 折叠I形栅极 无结场效应晶体管 反向泄漏电流 亚阈值
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2018.05.003

摘要

为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性,讨论栅极的几何形状改变对器件性能产生的影响.通过与普通的双栅、三栅无结场效应晶体管的仿真结果的对比,突出FIG JL FET在电学性能上所具备的优势,并给出栅极设计参数的最佳优化方案.仿真实验结果表明,相比于其他的栅型结构,折叠I型栅无结场效应晶体管具有更低的反向泄漏电流,Ion-Iof比也得到很大提升,而且几乎没有亚阈值的衰减.作为一款高性能器件,深具发展潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳晓诗	沈阳工业大学信息科学与工程学院	5	5	2.0	2.0
2	高云翔	沈阳工业大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0