掺杂对量子点电子结构的影响

• 作者: 何春山 黄钢明
• 来源期刊: 中山大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 电荷密度 掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 110-114
• 页数: 5页
• 分类号: O413.1
• 字数: 2931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13471/j.cnki.acta.snus.2018.04.015

摘要

用有效质量近似理论和哈密顿量H对角化方法计算了在谐振子势中,量子点(含8个极化电子)的本征能量和本征波函数,并通过从本征波函数中提取一体、二体和三体密度函数的方法,得到了电子结构的直观图像.分析了掺杂(带单位正电荷或单位负电荷的杂质)对量子点电子结构的影响.研究结果表明:正掺杂会增加量子点中心电荷的聚集,而负掺杂则会在量子点中心形成电荷空白区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄钢明	中山大学物理学院	11	32	3.0	5.0
2	何春山	中山大学物理学院	8	21	3.0	4.0