90nm CMOS工艺高速锁相环设计与优化

• 作者: 仲顺安 王兴华 王征晨
• 来源期刊: 北京理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锁相环 电荷泵 LC压控振荡器 相位噪声
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 信息与控制
• 页码范围: 58-62
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15918/j.tbit1001-0645.2018.01.010

摘要

基于TSMC90 nm CMOS工艺设计了一款高速锁相环.为优化锁相环整体的相位噪声及参考杂散性能,分析了差分电荷泵和LC压控振荡器的相位噪声,并且讨论了多模分频器的设计方法.高速锁相环的整体芯片版图面积为490 μm×990 μm.测试结果表明,在频偏1 MHz处的相位噪声为-90 dBc,参考杂散为-56.797 dBc.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	仲顺安	北京理工大学信息与电子学院北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心	54	185	7.0	10.0
2	王兴华	北京理工大学信息与电子学院北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心	20	57	4.0	6.0
3	王征晨	北京理工大学信息与电子学院北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心	6	5	2.0	2.0