GAA Si NWFET晶体管ESD特性研究

• 作者: 史君
• 来源期刊: 上海建桥学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: GAA SI NWFET ESD TLP 栅长度 纳米线数量
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TN386

摘要

围栅（CAA：Gate-All-Around）纳米线场效应晶体管NWFET（Nanowire Field-Effect Transistor）由于其优越的静电沟道控制力、高速电流开／关、更好的抗噪声性能和可利用传统硅制备工艺方法来制备的特性而受到举世关注，然而由于器件尺寸急剧降低，如亚10mm尺寸，GAA Si NWFET结构存在的诸多效应亟待解决，包括局部高电流密度、短沟道效应、强场效应、量子效应、寄生电阻／电容的影响、工艺参数引起的涨落问题、器件泄露电流、亚阈斜率等性能影响突出，特别是NWFET面对ESD应力打击时所表现出的脆弱性．更是决定基于NWFET工艺下良品率的主要问题。文章将通过TLP测试系统对N型和P型NWFET的ESD性能进行系统研究，从工艺并表征失效电流（I12）、漏电流（Ileakage）、触发电压（Vtl）和通态电阻（Ron）与主要设计参数的依赖关系，为电路设计提供设计参考数据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史君	上海建桥学院机电学院	2	0	0.0	0.0