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高速光接收机中低温漂基准电压源设计
高速光接收机中低温漂基准电压源设计
作者:
任军
童伟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
带隙基准电压源
输出失调存储
工艺补偿
摘要:
高速光接收芯片的片上电源稳定性至关重要,片上电源管理单元 (PMU,Power Management Unit)为各子模块提供稳定的供电,低温漂带隙基准电压源是PMU设计中的核心模块.提出一种用于高速光接收芯片的低温漂带隙基准电压源的设计.为克服随机失调对基准电压温度系数的影响,在运放设计中采用了OOS(输出失调存储,Output Offset Storage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,有效降低了不同PVT情况下的失调电压.采用0.18 μm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,在运放输入端的初始失调电压为7 mV时,输入失调电压可被降低到0.1 mV以下.量产测试结果显示,温度系数最高为20.5×10-6/℃,不修调精度0.8%以内,输出纹波电压最大为88 μV,满足了高速光接收芯片的稳定性要求.
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一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计
带隙基准
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内容分析
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文献信息
篇名
高速光接收机中低温漂基准电压源设计
来源期刊
电子与封装
学科
工学
关键词
带隙基准电压源
输出失调存储
工艺补偿
年,卷(期)
2018,(12)
所属期刊栏目
电路设计
研究方向
页码范围
21-25
页数
5页
分类号
TN402
字数
3660字
语种
中文
DOI
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单位
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任军
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带隙基准电压源
输出失调存储
工艺补偿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
开本:
大16开
出版地:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
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