原子层沉积制备氮化钛薄膜及其表征

• 作者: 丑修建 乔骁骏 何剑 孙雅薇 石树正 穆继亮 胡磊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: TiN 原子层沉积(ALD) 电阻率 粗糙度 生长速率
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 428-432
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.06.008

摘要

宽禁带半导体TiN作为扩散阻挡层以及场效应管的门电极在集成电路中发挥重要作用.通过原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术沉积不同循环次数TiN薄膜,采用四探针测试仪、台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了表征,确定了薄膜电阻率、生长速率、表面粗糙度与工艺条件的依赖关系.实验结果表明,ALD可实现膜厚精确控制、大面积均匀性优异、电阻率较小的薄膜制造,沉积薄膜的最小粗糙度为0.101 nm,电阻率为5μΩ·cm,薄膜稳定生长速率为0.025 nm/cycle.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丑修建	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	49	225	9.0	13.0
2	穆继亮	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	21	66	4.0	8.0
3	石树正	河北建筑工程学院机械工程学院	25	29	2.0	4.0
4	何剑	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	21	25	3.0	3.0
5	乔骁骏	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	3	3	1.0	1.0
6	胡磊	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	4	10	2.0	3.0
7	孙雅薇		5	4	1.0	1.0