Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响

• 作者: 刘彩池 刘辉 梁李敏 田园 解新建 郝秋艳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 稀磁半导体 离子注入 铁磁性 热退火
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 757-761
• 页数: 5页
• 分类号: O484.43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.10.010

摘要

利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备的p-GaN薄膜中,制备出了GaN基稀磁半导体材料.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形貌和磁性能的影响.研究结果表明:Ni离子注入未在GaN晶格中引入第二相,中等剂量的Ni离子辐照GaN样品在室温下具有顺磁性,800℃热退火后样品的磁性由顺磁性转化为铁磁性,具有较高的饱和磁化强度.热退火后p-GaN的晶格损伤恢复和空穴载流子浓度增加,因此800℃热退火样品的铁磁性转变是由于Ni离子的自旋电子与空穴载流子的相互作用增强引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料科学与工程学院	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学材料科学与工程学院	37	179	9.0	12.0
3	解新建	河北工业大学材料科学与工程学院	10	57	4.0	7.0
4	刘辉	河北工业大学材料科学与工程学院	9	142	5.0	9.0
5	梁李敏	河北工业大学材料科学与工程学院	8	15	2.0	3.0
6	田园	河北工业大学材料科学与工程学院	9	36	4.0	5.0