不同温度下GeTe相变材料的电性能研究

• 作者: 张继华 张苗苗 曲胜 王艳艳 魏猛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: GeTe薄膜 相变材料 微波开关 电阻 载流子浓度 迁移率
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: TB213
• 字数: 3415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.08.004

摘要

Ge-Te系化合物因其具有非常高的电阻比、 快响应速度和较高的相变温度而在高性能微波开关方面有重要的应用潜力.本文研究了在室温下磁控溅射法制备的GeTe薄膜电性能随温度的变化规律.研究表明,当薄膜温度从室温升高到170℃,薄膜保持非晶态,电阻率从24Ω·m逐渐下降到0.72Ω·m,空穴的迁移率保持在10-1 m2/(V·s)左右,交流阻抗谱表明GeTe更多的表现为电容特性并且能稳定的保持在高阻态.当温度升高到210℃后,薄膜晶化,载流子浓度和迁移率迅速增加,GeTe显示出电阻特性,其电阻率骤降到3.8×10-6Ω·m(电阻率变化达6个数量级).分析了GeTe薄膜在不同温度电性能发生变化的原因,相变前电阻率随温度缓慢下降主要归因于载流子浓度增加;而相变后迁移率的大幅上升是GeTe电阻率显著下降的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王艳艳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室核心电子材料与器件协同创新中心	9	40	5.0	6.0
2	张苗苗	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室核心电子材料与器件协同创新中心	1	0	0.0	0.0
3	曲胜	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室核心电子材料与器件协同创新中心	1	0	0.0	0.0
4	魏猛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室核心电子材料与器件协同创新中心	2	8	1.0	2.0
5	张继华		1	0	0.0	0.0