L波段5W InGaP/GaAs HBT功率放大器

• 作者: 游恒果 蔡道民
• 来源期刊: 电子制作
• 关键词: 功率放大器 异质结晶体管 片外匹配 线性 附件效率
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计与方案
• 页码范围: 14-16,56
• 页数: 4页
• 字数: 2277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-5059.2018.07.005

摘要

InGaP/GaAs HBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器,本文基于自主HBT工艺技术,借助GaAs MMIC和辅助PCB板外匹配架构,通过选择合适的器件尺寸和偏置条件以及匹配结构,实现高性能的终端放大器.在VCC=5V,ICC=300mA下,频率1.59-1.62GHz范围内,小信号增益大于39dB,输出功率大于38 dBm,附加效率大于55％,1dB压缩功率大于37dBm,1dB压缩功率下的效率大于50％;采用PI/4QPSK调制信号,频率间隔21.6kHz和滤波器滚降系数0.35,在调制输出功率为36dBm下,其EVM指标小于5％,第一临道抑制比小于-27dBc.该放大器可应用于通信等领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游恒果	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0
2	蔡道民	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	43	3.0	6.0