基于SOI的微电子器件抗辐射加固技术

• 作者: 范家熠
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 微电子器件 抗辐射 加固技术
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 信息·技术
• 页码范围: 65-66
• 页数: 2页
• 分类号: TP21
• 字数: 1959字
• 语种: 中文

摘要

近年来,我国航天事业取得了令世人瞩目的成就,越来越多的人造卫星被发射于太空中,从而为人们的生产生活带来了巨大的便利.对于人造卫星来说,由于其受到太空的强烈辐射的影响,致使其内部微电子器件的硅层与二氧化硅层会产生电离,并进一步引发瞬时效应与闭锁效应,进而大大降低了人造卫星的运行可靠性.因此必须要通过SOI工艺来对微电子器件进行抗辐射加固,为此,本文便对基于SOI的微电子器件抗辐射加固技术进行深入的探讨与研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范家熠	江苏科技大学苏州理工学院	1	0	0.0	0.0