硅通孔耦合抑制方法的研究综述

• 作者: 刘建峰
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 硅通孔 耦合 三维互连
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 11-12,15
• 页数: 3页
• 字数: 2451字
• 语种: 中文

摘要

基于硅通孔实现三维芯片或三维系统,是集成电路发展的重要趋势,本文针对硅通孔在三维互连中的耦合问题,从耦合途径和抑制方法的研究现状进行了综述.首先介绍了三种硅通孔的耦合途径和模型,其次总结描述了国内外对耦合抑制方法的研究现状,最后通过实例仿真验证采用插入接地硅通孔方法对耦合的抑制效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘建峰	中国电子科技集团公司第三十八研究所	2	0	0.0	0.0