偏压对自源笼形空心阴极放电制备Si-DLC薄膜结构和性能的影响

• 作者: 吴明忠 孙薇薇 巩春志 李慕勤 田修波 田钦文
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 自源笼形空心阴极放电 Si-DLC 偏压 显微结构 力学性能 摩擦学性能
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 表面工程研究
• 页码范围: 69-79
• 页数: 11页
• 分类号: TG174.444
• 语种: 中文
• DOI: 10.11933/j.issn.1007-9289.20190114002

摘要

针对利用笼形空心阴极放电在大工件表面制备DLC薄膜时,笼网内大工件操作困难、大工件影响放电的问题,开发了自源笼形空心阴极放电方法,在不同偏压(-300～0 v)条件下于Si(100)表面制备了Si-DLC薄膜,考察了偏压对Si-DLC薄膜结构和性能的影响.结果 表明:获得Si-DLC的沉积速率达到7.90 μrn/h.由偏压引起的高能离子轰击使薄膜的组织结构更为致密,降低了表面粗糙度和H含量.Si-DLC薄膜中的sp3/sp2值随偏压增加先上升后下降,薄膜纳米压入硬度和弹性模量也呈现相同规律.偏压为-200 V沉积的Si-DLC薄膜具有最高的sp3/sp2(0.69)、H/E和H3/E2值,表现出致密的结构和优异的摩擦性能,摩擦因数低至0.024,磨损率为1×10-6mm3/Nm.说明自源笼形空心阴极放电是一种有效制备大面积DLC膜的工艺,-200 V偏压是最优化的参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴明忠	佳木斯大学材料科学与工程学院	49	107	6.0	7.0
2	李慕勤	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	172	582	13.0	18.0
4	巩春志	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	69	320	9.0	14.0
5	田修波	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	106	515	11.0	17.0
6	孙薇薇	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	28	33	3.0	5.0