表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究

• 作者: 徐祥福 朱伟玲 李天乐 陈星源 雷露军
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 硅锗合金纳米线 表面修饰官能团 键长再分布
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 团簇与纳米结构
• 页码范围: 946-952
• 页数: 7页
• 分类号: O562
• 字数: 3942字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.06.010

摘要

采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了再分布,F修饰对键长表现出了拉力效应,但并没有引起键长的再分布.同时,通过计算电子性质,以H修饰纳米线为参考,因不同官能团修饰对键长不均匀性的影响不同,使能带Z点位置下移幅度不同,CH3修饰纳米线下移幅度最大,F次之,H修饰的下移幅度最小,这为利用不均匀性调控电子结构提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李天乐	广东石油化工学院应用物理系	20	20	3.0	3.0
2	朱伟玲	广东石油化工学院应用物理系	36	75	5.0	7.0
3	陈星源	广东石油化工学院应用物理系	10	3	1.0	1.0
4	徐祥福	广东石油化工学院应用物理系	19	10	2.0	2.0
5	雷露军	广东石油化工学院应用物理系	1	0	0.0	0.0