SiC功率器件的市场机会与挑战

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: SIC GAN MOSFET 功率器件 第三代半导体材料
• 年，卷（期）: bdtxx_2019,（1）
• 页码范围: 29-31
• 页数: 3页
• 分类号: TN303

摘要

汽车日渐走向智能化、联网化与电动化的趋势,加上5G商用在即,这些将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点。