标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计

• 作者: 周国昌 唐硕 巨艇 王轩 赖晓玲
• 来源期刊: 空间电子技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 集成电路 标准单元 单粒子闩锁
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 通信与导航
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: V474
• 字数: 2443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2019.03.007

摘要

文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题,开展了Complementary Metal Oxide Semicon-ductor(CMOS)器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析,提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法;基于SMIC0.13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现.仿真结果显示,在遭受LET值为120MeV/mg/cm2的重离子辐射时,所设计的电路未发生闩锁效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周国昌		20	50	4.0	5.0
2	赖晓玲		16	29	3.0	4.0
3	巨艇		13	34	3.0	4.0
4	王轩		6	4	1.0	1.0
5	唐硕		1	1	1.0	1.0