掺锡In2O3薄膜的晶粒生长及其微观结构性质研究

• 作者: 朱雅 钟志有 陆轴
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺锡In2O3 薄膜 微观结构性质
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 238-244
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12130/znmdzk.20190217

摘要

以氧化锡(SnO2)掺杂的氧化铟(In2O3)陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射工艺在普通玻璃基底上沉积了掺锡In2O3(In2 O3:Sn)薄膜样品,通过XPS、XRD和SEM等表征手段,研究了基底温度对薄膜晶粒生长和微观结构的影响.结果表明,所有In2O3:Sn样品均为多晶薄膜并具有体心立方铁锰矿晶体结构,基底温度对晶粒生长特性和微观结构性能具有明显的影响.基底温度升高时,薄膜沿(222)晶面的织构系数和平均晶粒尺寸先增大后减小,而位错密度和晶格应变则呈现相反的变化趋势.当基底温度为250℃ 时,In2O3:Sn样品沿(222)晶面的织构系数最高、平均晶粒尺寸最大、位错密度最小、晶格应变最低,薄膜具有最佳的(222)晶面择优取向生长特性和微观结构性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
5	陆轴	中南民族大学电子信息工程学院	19	78	6.0	8.0
6	朱雅	中南民族大学电子信息工程学院	7	2	1.0	1.0