基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备

• 作者: 戴风伟 曹立强 杨海博 王启东
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 转接板 异质集成 硅通孔(TSV) 先进封装 深反应离子刻蚀(DRIE) 保型性电镀
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 580-585,592
• 页数: 7页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.07.012

摘要

为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案.该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300 μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充.在转接板背面工艺中首先通过光刻将双面TSV的重叠部分控制在一个理想的范围内,然后经深反应离子刻蚀(DRIE)工艺形成深度为20 μm的TSV并完成绝缘层开窗,最后使用保型性电镀完成TSV互连.通过解决TSV刻蚀中侧壁形貌粗糙、TSV底部金属层过薄和光刻胶显影不洁等关键问题,最终得到了双面互连电阻约为20 Q、厚度约为323 μm的硅转接板.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹立强	中国科学院微电子研究所	20	100	4.0	9.0
7	王启东	中国科学院微电子研究所	8	11	2.0	3.0
12	杨海博	中国科学院微电子研究所	1	1	1.0	1.0
16	戴风伟	中国科学院微电子研究所	3	2	1.0	1.0