C波段紧凑型25W GaN宽带功率放大器

• 作者: 刘帅 武继斌 蔡道民
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管 高功率放大器 宽带 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 电磁场与微波
• 页码范围: 248-251,257
• 页数: 5页
• 分类号: TN914.42
• 字数: 2603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201902.0248

摘要

基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标,实现了C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路(MMIC)放大器.芯片测试结果表明,在4～8 GHz频率范围内,漏极电压28V,连续波条件下,放大器的小信号增益大于30 dB,大信号增益大于23 dB,饱和输出功率大于44 dBm,功率附加效率为38％～45％.该单片放大器芯片尺寸为3.6 mm×4.0 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武继斌	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	33	3.0	4.0
2	蔡道民	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	43	3.0	6.0
3	刘帅	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	21	2.0	4.0